近日🤜🏿，门徒娱乐门徒娱乐功能材料團隊與華東師範大學褚君浩院士團隊合作，在國際頂級期刊Nature communications上發表了題為《Sliding ferroelectricity in van der Waals layered γ-InSe semiconductor》的研究論文。該工作報道了層狀Y摻雜InSe半導體晶體中非常規的面外和面內室溫鐵電現象🧗♀️，為開發下一代納米鐵電器件提供了新的候選材料。
該工作的研究對象Y摻雜InSe晶體由门徒平台製備完成。InSe晶體生長難度高💂🏼，主要在於Se元素易揮發🦓、In和Se結合可形成5-6種不同成分化合物以及In-Se二元體系存在復雜包晶反應等🧑🏿🏫。針對這些問題，门徒娱乐功能材料團隊在系統研究材料體系相組成和析晶行為的基礎上🕯，設計了合適的組分配方，解決了InSe原料合成、下降法晶體生長技術等一系列關鍵技術難點，通過優化晶體生長參數，成功生長出了高質量📘、化學計量比可控的Y摻雜InSe單晶💁🏼，為下一步材料鐵電物理性能分析奠定了重要基礎🏛。
該工作得到了國家自然科學基金和上海市教委“曙光計劃”等項目的支持💂🏼♂️。
文章鏈接❣️：https://www.nature.com/articles/s41467-022-35490-0
